engis SIC碳化硅 研磨拋光設備

日本Engis目前已經(jīng)提供超精密拋光設備技術以及優(yōu)異加工磨料給日本國內(nèi)各大單晶碳化硅(SiC)基板廠商，并且日本產(chǎn)總研(注一)也經(jīng)測試認可已采用相關的設備。雖然單晶碳化硅基板在研磨拋光制程上比藍寶石基板相對困難，但是在高階藍光LED表現(xiàn)上卻是比藍寶石基板更勝一籌。

   目前在日本之單晶碳化硅基板量產(chǎn)大多是以2吋為主，而4吋以及6吋之單晶碳化硅基板業(yè)已開發(fā)完成并正在量產(chǎn)，現(xiàn)階段共有兩種的單晶碳化硅基板，因為日本Engis擁有超精密拋光技術設備及實績所以大多數(shù)廠商及政府研究機構(gòu)是采用日本Engis公司之拋光設備以及專業(yè)技術。
   碳化硅基板的晶體結(jié)構(gòu)來看有Si面以及C面，因為碳化硅材質(zhì)堅硬在進行化學機械拋光(CMP)非常耗時，建議采用日本Engis公司之DMP拋光皮搭配專用鉆石液先行加工，DMP拋光皮是使用航天科技特殊纖維制成，其特殊纖維質(zhì)地堅韌不易斷裂 ，可維持高效率的表面移除性能，特別適用于硬脆材質(zhì)之化學機械拋光前的加工制程。